[发明专利]一种高能量利用率的微桥结构电阻阵列在审
| 申请号： | 201510465486.0 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105093356A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐君;王治乐;朱瑶;周程灏;孙婷婷 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01V13/00 | 分类号： | G01V13/00;G01M11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高能量利用率的微桥结构电阻阵列，包括微桥和衬底两部分，所述微桥包含电阻辐射微单元，所述衬底位于微桥的背面，其形状为棱台状，衬底的表面涂有低吸收漫反射涂层。相比于平面型衬底，本发明的有益效果是能有效提高目标面上的辐射照度。在电阻阵列能达到的最高温度一定的情况下，棱台状衬底将原来被吸收的红外辐射向目标方向反射，从而使到达目标面的辐射能量变多。合理设计棱台衬底的底面多边形边数、底边长度、棱台高度和棱边倾角可最大限度的使反射的红外辐射增多。低吸收漫反射涂层可显著减少对红外辐射的吸收。特殊的形状和特殊的表面材料提高了微桥电阻的能量利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能量 利用率 结构 电阻 阵列 | ||
【主权项】：
一种高能量利用率的微桥结构电阻阵列，包括微桥和衬底两部分，其特征在于所述微桥包含电阻辐射微单元，所述衬底位于微桥的背面，其形状为棱台状，衬底的表面涂有低吸收漫反射涂层。
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