[发明专利]二元光掩模坯料、其制备、和二元光掩模的制备

摘要

二元光掩模坯料在透明衬底上具有遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M和硅Si，或M、Si和N组成，并且具有3.0以上的光密度。所述遮光膜包括含M、Si和N的层，从而满足式B≤0.68×A+0.23，其中A是原子比M/Si且B是原子比N/Si，并且所述遮光膜具有47nm以下的厚度。所述二元光掩模坯料具有能够完全遮蔽曝光的光的薄遮光膜。

主权项

1.二元光掩模坯料，其包括透明衬底和在所述透明衬底上的遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M、硅Si和1‑30原子％的氮N组成，由一个层组成，并且具有3.0以上的光密度，其中所述遮光膜包括满足式(3)的过渡金属‑硅‑氮组成的层，并具有41nm以下的厚度：B≤2.12×A‑0.70   (3)其中A为M比Si的原子比和B为N比Si的原子比。