[发明专利]盖、气室、气室的密封方法、盖的制造方法及盖阵列基板在审

专利信息
申请号: 201510364560.X 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN105310682A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 藤井永一;长坂公夫 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: A61B5/04 分类号: A61B5/04;F16J15/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及盖、气室、气室的密封方法、盖的制造方法以及盖阵列基板。本发明为了减少密封气室的工序中的盖的位置偏移。气室的密封方法具备:在作为用于密封气室的盖的基板上接合突起部的接合工序;将与基板接合的突起部放入设置于气室主体的开口部中,进行基板相对于气室主体的定位的定位工序;在进行了定位的状态下利用密封材料将基板和气室主体接合,并对气室主体进行密封的密封工序。
搜索关键词: 密封 方法 制造 阵列
【主权项】:
一种盖,其特征在于,包括:盖基板;以及突起部,所述突起部被配置于所述盖基板的第一面,在从所述突起部侧俯视所述第一面时,在所述第一面的所述突起部的外侧的区域设置有第一密封材料。
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