[发明专利]包括自组装嵌段共聚物的膜和通过混合流延制造该膜的方法(Ib)有效
申请号: | 201510363772.6 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN105175771B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | K·A-H·H·阿穆尔;D·L·格勒兹尼亚 | 申请(专利权)人: | 帕尔公司 |
主分类号: | C08J9/26 | 分类号: | C08J9/26;C08J5/18;C08L53/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 汪宇伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: |
公开了式(I)的自组装二嵌段共聚物形成的膜: |
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搜索关键词: | 二嵌段共聚物 式( I ) 自组装 流延 制备 自组装嵌段共聚物 聚合物溶液 薄膜蒸发 不良溶剂 多孔膜 非溶剂 溶剂 薄膜 凝固 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制备包括式(I)的二嵌段共聚物的多孔膜的方法: 其中:R1 是C1 -C22 烷基基团,可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基,酰氨基和硝基的取代基取代,或C3 -C11 环烷基基团,可选地被选自烷基、卤素、烷氧基,烷基羰基、烷氧基羰基,酰氨基和硝基的取代基取代;R2 是C6 -C20 的芳基基团或者杂芳基基团,可选地被选自羟基,氨基,卤素,烷氧基,烷基羰基,烷氧基羰基,酰氨基和硝基的取代基取代;R3 和R4 之一是C6 -C14 芳基基团,可选地被选自羟基,卤素,氨基和硝基的取代基取代,和R3 和R4 的另一个是C1 -C22 烷氧基基团,可选地被选自羧基,氨基,巯基,炔基,烯基,卤素,叠氮基和杂环基的取代基取代;和n和m相对独立的是10至2000;其中在二嵌段共聚物中含有R2 的单体的体积分数与含有R1 的单体的体积分数之比为2.3至5.6:1;所述方法包括:(i)在溶剂体系里溶解所述二嵌段共聚物以获得聚合物溶液;(ii)涂覆聚合物溶液到基材上;(iii)从(ii)中获得的涂层蒸发至少一部分溶剂;(iv)将来自(iii)的涂层浸渍在凝固浴中;和(v)洗涤(iv)中获得的多孔膜。
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