[发明专利]包括自组装嵌段共聚物的膜和通过混合流延制造该膜的方法(Ib)

权利要求书

1.一种制备包括式(I)的二嵌段共聚物的多孔膜的方法：

其中：

R1是C1-C22烷基基团，可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基，酰氨基和硝基的取代基取代，或C3-C11环烷基基团，可选地被选自烷基、卤素、烷氧基，烷基羰基、烷氧基羰基，酰氨基和硝基的取代基取代；

R2是C6-C20的芳基基团或者杂芳基基团，可选地被选自羟基，氨基，卤素，烷氧基，烷基羰基，烷氧基羰基，酰氨基和硝基的取代基取代；

R3和R4之一是C6-C14芳基基团，可选地被选自羟基，卤素，氨基和硝基的取代基取代，和R3和R4的另一个是C1-C22烷氧基基团，可选地被选自羧基，氨基，巯基，炔基，烯基，卤素，叠氮基和杂环基的取代基取代；和

n和m相对独立的是10至2000；

其中在二嵌段共聚物中含有R2的单体的体积分数与含有R1的单体的体积分数之比为2.3至5.6：1；

所述方法包括：

(i)在溶剂体系里溶解所述二嵌段共聚物以获得聚合物溶液；

(ii)涂覆聚合物溶液到基材上；

(iii)从(ii)中获得的涂层蒸发至少一部分溶剂；

(iv)将来自(iii)的涂层浸渍在凝固浴中；和

(v)洗涤(iv)中获得的多孔膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中R1是C10-C18烷基基团，可选地被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基，酰氨基和硝基的取代基取代。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中R2是苯基基团，可选地被选自羟基，氨基，卤素，烷氧基，烷基羰基，烷氧基羰基，酰氨基和硝基的取代基取代。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中R3是苯基。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中R4是C1-C6烷氧基基团。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是10到200和m是50到2000。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是83到190和m是675到1525。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中n是105和m是870。