[发明专利]8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510362417.7 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104991291B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 彭亮;程海峰;李俊生;郑文伟;周永江;刘海韬;张朝阳 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;B32B19/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)43213 | 代理人： | 杨斌 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，该薄膜可对光谱的发射辐射进行调控，实现在8.0μm～14.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；该薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层交替叠加而成。该薄膜的制备方法包括先进行衬底的清洗；然后采用射频磁控溅射的方法在衬底表面交替镀上高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层；溅射镀层时适当控制衬底温度、射频溅射功率和溅射时间即可。本发明针对常温条件下8.0μm～14.0μm波段的发射辐射的调制，可以解决红外隐身带来的隐身与散热的兼容性问题，具有工艺简单、重复性好、设备要求低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 14 波段 选择性 发射 红外 隐身 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种8～14μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，其特征在于，所述红外隐身薄膜能对光谱的发射辐射进行调控，实现在8.0μm～14.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；所述红外隐身薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层交替叠加而成；所述红外隐身薄膜具有共计7层的多层膜结构，且从最里层到最外层依次采用高折射率Ge材料层和低折射率ZnS材料层交替布置方式，且最里层和最外层均采用高折射率Ge材料层；从所述最里层到最外层的各层厚度依次为680.0±10.0nm、1200.0±10.0nm、620.0±10.0nm、1125.0±10.0nm、620.0±10.0nm、985.0±10.0nm、268.0±10.0nm。
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