[发明专利]一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管有效
申请号: | 201510319639.0 | 申请日: | 2015-06-11 |
公开(公告)号: | CN105023969B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 汤乃云 | 申请(专利权)人: | 上海电力学院 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/028;H01L31/0216;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 200090 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管,包括由下到上依次设置的柔性衬底、金属电极层、介质层、石墨烯层及金属纳米颗粒层,在所述石墨烯层两端分别生长第一金属电极与第二金属电极,所述金属电极层为栅极,第一金属电极为源极,第二金属电极为漏极,构成MOS结构;所述第一金属电极和第二金属电极之间设有提供偏压的电压源,通过调节所述偏压来调制所述石墨烯层的光电流。相对传统的硅基晶体管,本发明可实现柔性探测,便于携带,可伸缩,塑性强,可应用在众多新型领域,具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 纳米 结构 光吸收 增强 石墨 晶体管 | ||
【主权项】:
一种基于金属纳米结构的光吸收增强型石墨烯晶体管,其特征在于,包括由下到上依次设置的柔性衬底(1)、金属电极层(2)、介质层(3)、石墨烯层(4)及金属纳米颗粒层(5),在所述石墨烯层(4)两端分别生长第一金属电极(6)与第二金属电极(7),所述金属电极层(2)为栅极,第一金属电极(6)为源极,第二金属电极(7)为漏极,构成MOS结构;所述第一金属电极(6)和第二金属电极(7)之间设有提供偏压的电压源,通过调节所述偏压来调制所述石墨烯层(4)的光电流;所述介质层(3)材料为有机材料介质层、透明Al2O3介质层或铁电介质层中的一种,所述介质层(3)厚度在100nm以内;所述金属电极层(2)材料为金,厚度在200nm以内;所述第一金属电极(6)与第二金属电极(7)为透明导电材料,材质包括氧化铟锡或氧化锌铝,厚度为10‑200nm;所述的石墨烯层(4)为沟道层;将石墨烯晶体管在200℃‑300℃下退火,退火后,金属纳米颗粒层(5)受热变成金属纳米颗粒。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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