[发明专利]高硅铝合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201510272425.2 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104831132B | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 田永;刘志祥;毕红兴;王建波;何霞;卢国洪;袁崇胜;刘惠军;匡美淑;段祖荣;康万福;王正勇;周杰;徐朝省;鲁必耀;张忠益;赵兴凡;任承伟;赵茂庚 | 申请（专利权）人： | 云南永昌硅业股份有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/02;C22C1/10 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 678399 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高硅铝合金及其制备方法，其中高硅铝合金包含40‑55重量％的硅和45‑60重量％的铝。由此该高硅铝合金具有良好的铸造耐磨性、抗腐蚀性、较大的抗拉强度以及具有热膨胀系数小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高硅铝合金的方法，其特征在于，包括：将硅熔体与铝块进行混合，以便利用所述硅熔体的热量熔化所述铝块，并得到硅铝混合熔液；将所述硅铝混合熔液进行浇铸，以便获得所述高硅铝合金，其中，将硅熔体与铝块进行混合按照下列步骤进行：预先将所述铝块放入所述合金生产炉内；向盛放有所述铝块的合金生产炉内浇入所述硅熔体，以及搅拌至所述铝块熔化，预先对所述铝合金生产炉加热至900‑1150摄氏度，所述高硅铝合金中包含：49‑55重量％的硅；45‑58重量％的铝；0.17‑0.20重量％的铁；以及110‑180ppm的钙。
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