[发明专利]高硅铝合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510272425.2 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN104831132B 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 田永;刘志祥;毕红兴;王建波;何霞;卢国洪;袁崇胜;刘惠军;匡美淑;段祖荣;康万福;王正勇;周杰;徐朝省;鲁必耀;张忠益;赵兴凡;任承伟;赵茂庚 申请(专利权)人: 云南永昌硅业股份有限公司
主分类号: C22C21/02 分类号: C22C21/02;C22C1/02;C22C1/10
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 代理人: 李志东
地址: 678399 云*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 铝合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种制备高硅铝合金的方法,其特征在于,包括:

将硅熔体与铝块进行混合,以便利用所述硅熔体的热量熔化所述铝块,并得到硅铝混合熔液;

将所述硅铝混合熔液进行浇铸,以便获得所述高硅铝合金,

其中,将硅熔体与铝块进行混合按照下列步骤进行:预先将所述铝块放入所述合金生产炉内;向盛放有所述铝块的合金生产炉内浇入所述硅熔体,以及搅拌至所述铝块熔化,

预先对所述铝合金生产炉加热至900-1150摄氏度,

所述高硅铝合金中包含:49-55重量%的硅;45-58重量%的铝;0.17-0.20重量%的铁;以及110-180ppm的钙。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅熔体来自工业生产硅过程中的高温硅熔体。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述硅熔体的温度为1500-1550摄氏度。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述硅熔体与铝块在合金生产炉内进行混合。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述浇铸的厚度为50-120毫米。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南永昌硅业股份有限公司,未经云南永昌硅业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510272425.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top