[发明专利]二极管与二极管串电路有效
申请号: | 201510232114.3 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN106206565B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 林群祐;柯明道;王文泰 | 申请(专利权)人: | 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/861 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭露一种二极管与二极管串电路。二极管包含基板、第一绝缘层、第二绝缘层、井区、深掺杂区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一绝缘层设置于基板上。第二绝缘层设置于基板上,并与第一绝缘层定义元件区域。井区设置于基板上以及元件区域下方。深掺杂区设置于井区内,并位于元件区域下方。第一掺杂区设置于元件区域内,并位于深掺杂区上。第二掺杂区位于深掺杂区上并相邻设置于该第一掺杂区旁。第二掺杂区经由深掺杂区以及第一掺杂区而与井区电性绝缘。本发明所提出的二极管可降低寄生晶体管所引起的漏电流,并可降低布局面积。 | ||
搜索关键词: | 二极管 电路 | ||
【主权项】:
1.一种二极管,其特征在于,包含:一基板;一第一绝缘层,设置于该基板上;一第二绝缘层,设置于该基板上,并与该第一绝缘层定义一元件区域;一井区,具有一第一导电型,并设置于该基板上,其中该井区设置于该元件区域下方;一深掺杂区,具有一第二导电型,并设置于该井区内,并位于该元件区域下方,其中该第一导电型与该第二导电型互相相反;一第一掺杂区,具有该第二导电型,其中该第一掺杂区设置于该元件区域内,并位于该深掺杂区上,该深掺杂区仅延伸于部分的该第一掺杂区下;以及一第二掺杂区,具有该第一导电型,相邻设置于该第一掺杂区旁,其中该第二掺杂区位于该深掺杂区上,并经由该深掺杂区以及该第一掺杂区而与该井区电性绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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