[发明专利]防止高温工艺制程中掺杂晶圆掺杂物扩散的方法在审
| 申请号： | 201510095194.2 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990133A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王亮;李广宁;马孝田 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种防止高温工艺制程中掺杂晶圆掺杂物扩散的方法，先在掺杂晶圆上覆盖一层氧化层，然后进行快速热处理，使得掺杂晶圆中的部分掺杂物扩散至氧化层中，之后去除氧化层再进行高温工艺制程，从而避免在高温工艺制程中掺杂晶圆中的掺杂物扩散至炉管中污染其余的晶圆，避免了晶圆相互污染的问题，提升了高温制程工艺的效率，并且避免了在有掺杂物的高温工艺制程批次之后进行多次挡控片的高温工艺制程，增加了炉管的正常运行时间，降低了生产成本；同时，进行快速热处理也起到了活化掺杂晶圆中掺杂物的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 高温 工艺 制程中 掺杂 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种防止高温工艺制程中掺杂晶圆掺杂物扩散的方法，其特征在于，包括：在掺杂晶圆上覆盖氧化层；进行快速热处理；刻蚀去除所述掺杂晶圆上的氧化层；进行高温工艺制程；其中，所述高温工艺制程的温度高于800℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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