[发明专利]微机械超小型压阻式压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510073360.9 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104865001B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 漆斌 | 申请（专利权）人： | 苏州亘科医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 项丽,李艳 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了在硅晶片制造一个或多个超小型压阻式压力传感器的方法。压阻式压力传感器的膜片是熔融粘结形成。压阻式压力传感器可以由硅沉积、光刻和蚀刻工艺形成。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 超小型 压阻式 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造压阻式压力传感器的方法，其包括：提供第一绝缘体上硅结构, 其包括第一块状硅层上面第一氧化层上沉积的第一硅层；提供第二绝缘体上硅结构, 其包括第二块状硅层上面第二氧化层上沉积的第二硅层；将第一硅层和第二硅层面对面结合在一起；去掉第二块状硅层；去掉第二氧化层，第二绝缘体上硅结构的第二硅层留在第一硅层上；形成一个或多个预定形状和尺寸的开口，以使第二硅层暴露出一部分；在第二硅层的一个或多个开口处形成一个或多个压电电阻器；依次通过光刻和蚀刻的方式在第二硅层和第一硅层中形成花纹沟槽，并终止于第一氧化层；去掉第一块状硅层，从而将压阻式压力传感器限定于花纹沟槽的边界内。
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