[发明专利]一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510066715.1 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104671773B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;付志粉;马建立;李晶;陈晓明;冯琴琴 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Mg2SnO4，其中Li2Mg3SnO6的含量为42wt％～95wt％，其余为Mg2SnO4；该陶瓷材料的介电常数为7.8～8.8，介电损耗为0.00007～0.00019，Q×f为72000～123000GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑31ppm/℃，采用高温固相反应法制备而成。本发明微波介质陶瓷材料制备方法简单，所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，所制得的微波介质陶瓷性能稳定，可作为电子线路基板、介质谐振器、滤波器、高频卫星微波器件基板与微带线的制造材料使用，在电子线路、微波移动通信、卫星通信、雷达系统领域上具有重要应用前景及经济价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Mg2SnO4，其中Li2Mg3SnO6的含量为42wt％～95wt％，其余为Mg2SnO4；该陶瓷材料的介电常数为7.8～8.8，介电损耗为0.00007～0.00019，Q×f为72000～123000GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑31ppm/℃。
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