[发明专利]用于混合存储器的系统、方法和装置有效

专利信息
申请号: 201510062141.0 申请日: 2010-12-10
公开(公告)号: CN104575568B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: D·邓宁;B·卡斯珀;R·穆尼;M·曼苏里;J·E·若斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施例总体上针对一种用于混合存储器的系统、方法和装置。在一个实施例中,混合存储器可以包括封装衬底。该混合存储器还可以包括附着到封装衬底的第一侧的混合存储缓冲器芯片。高速输入/输出(HSIO)逻辑支持与处理器的HSIO接口。混合存储器还包括用于支持在HSIO接口上的分组处理协议的分组处理逻辑。另外,混合存储器还具有垂直地堆叠在混合存储缓冲器上的一个或多个存储器瓦片。
搜索关键词: 用于 混合 存储器 系统 方法 装置
【主权项】:
1.一种存储器设备,包括:逻辑管芯,所述逻辑管芯包括用于支持输入/输出接口和分组处理操作的逻辑电路;以及堆叠在所述逻辑管芯上的多个存储器管芯,每一个所述存储器管芯包括存储器管芯部分,每一个存储器管芯部分包括存储器阵列和输入/输出逻辑电路;其中,所述逻辑管芯还包括多个逻辑电路部分,其中每一个逻辑电路部分通过硅通孔耦合到所述存储器管芯部分中的垂直对齐的多个存储器管芯部分,每一个逻辑电路部分包括以下逻辑电路:内建自测试逻辑电路,用于提供对所述多个存储器管芯的所述存储器阵列的测试,以及动态错误变通措施逻辑电路,用于提供处理出现在所述多个存储器管芯的所述一个或多个存储器管芯部分的所述存储器阵列中的软错误和硬错误的能力,其中处理软错误和硬错误包括所述逻辑管芯的所述动态错误变通措施逻辑电路以第一方式处理软错误并且以第二方式处理硬错误。
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