[发明专利]高度择优取向钛酸铋钠-钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510051148.2 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104609856B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;李朋;沈波;李伟 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高度择优取向钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法：(1)配置钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液；(2)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上溅射镍酸镧，并在700℃热处理30分钟；(3)将溅射有镍酸镧的基片清洗干净后烘干；(4)在步骤(3)获得的基片上，使用钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液逐层进行旋转涂覆得到所需厚度的薄膜；(5)将步骤(4)获得的薄膜在700℃进行退火处理120分钟，即得到高度择优取向的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜。本发明制备的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜取向度高、低电场下具有较高的电致应变，较高的介电常数和较低的介电损耗，在高精度位移控制器和微型执行器等领域具有很好的实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 择优取向 钛酸铋钠 钛酸钡 压电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
高度择优取向钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)配置钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液，具体采用以下步骤：a、将乙酸钠、硝酸铋溶于乙酸，利用乙酰丙酮为络合剂将钛酸四正丁酯溶于乙二醇甲醚，再将上述溶液混合得到前驱体溶液A；b、将乙酸钡溶于乙酸，利用乙酰丙酮为络合剂将钛酸四正丁酯溶于乙二醇甲醚，再将上述溶液混合得到前驱体溶液B；c、将前驱体溶液A和前驱体溶液B混合并在70℃下搅拌5小时制得钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液，其浓度调整为0.1M；(2)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上溅射镍酸镧，并在700℃热处理30分钟；(3)将溅射有镍酸镧的基片清洗干净后烘干；(4)在步骤(3)获得的基片上，使用钛酸铋钠‑钛酸钡前驱体溶液逐层进行旋转涂覆得到所需厚度的薄膜；(5)将步骤(4)获得的薄膜在700℃进行退火处理120分钟，即得到高度择优取向的钛酸铋钠‑钛酸钡无铅压电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510051148.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
