[发明专利]在氧化锌表面形成并调控肖特基接触的方法在审
申请号: | 201510045412.1 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN104638065A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 汤子康;关钊允;黄丰;吴雁艳;陈安琪;祝渊 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 张玲春 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种在氧化锌表面形成并调控肖特基接触的方法。本发明主要包括以下步骤:1)将清洗干净的氧化锌样品置于等离子处理腔体中,并且抽腔体内空气至高真空;2)通入氧气,调节腔体压强至指定压强;3)开启射频电源,以一定功率起辉腔体内部的氧气;4)待处理时间足够时,取出样品,并蒸镀镍金电极,即可获得肖特基接触电极。该方法可操作性强,稳定可靠,并开创了氧化锌表面处理的新方法,解决了在氧化锌上制备肖特基接触的难题,并且通过调节处理强度可以调控其接触的性能。该方法新颖可靠,且耗时非常短,易于操作,适用于规模化的半导体产业应用。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 表面 形成 调控 肖特基 接触 方法 | ||
【主权项】:
一种在氧化锌表面形成并调控肖特基接触的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将清洗干净的氧化锌样品至于等离子处理腔体中,关闭腔体,通过真空泵抽取腔体内气体,至腔体达到高真空;2)将氧气通入腔体中,调节腔体内部氧气压强到指定值;3)调节压强完毕后,打开等离子体射频电源,起辉腔体内部的氧气,并调节射频功率至指定值,维持1‑15min;4)处理1‑10min后取出氧化锌样品,在其表面做掩膜,并蒸镀镍金电极,最终在氧化锌表面获得肖特基接触的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510045412.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种降噪减震汽车传动轴
- 下一篇:一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的