[发明专利]制造互连结构的方法

摘要

一种根据本发明的一个实施例的制造互连结构的方法，包括：将介电层图案化以形成第一凹陷区，第一凹陷区包括第一巢形凹陷区和第一线形凹陷区，第一巢形凹陷区具有第一宽度，第一线型凹陷区具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度。在第一凹陷区的侧壁上形成引导间隔件层，以在所述第一巢形凹陷区中提供包括第二巢形凹陷区的第二凹陷区。形成自组装嵌段共聚物材料以填充第二巢形凹陷区。将自组装嵌段共聚物材料退火以形成聚合物嵌段区域和聚合物嵌段基体，聚合物嵌段基体包围聚合物嵌段区域。去除聚合物嵌段区域以暴露出介电层的一部分。刻蚀介电层的暴露部分以形成通孔腔。

主权项

1.一种制造互连结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成介电层；图案化所述介电层以形成第一凹陷区，所述第一凹陷区包括具有第一宽度的第一巢形凹陷区和具有第二宽度的第一线形凹陷区，所述第二宽度小于所述第一宽度；在所述第一凹陷区的侧壁上形成引导间隔件层以提供第二凹陷区，所述第二凹陷区包括第二巢形凹陷区，所述第二巢形凹陷区设置在所述第一巢形凹陷区中，且具有小于所述第一宽度的第三宽度；形成填充所述第二凹陷区的自组装嵌段共聚合物材料；将所述自组装嵌段共聚合物材料退火，以形成具有圆柱形的聚合物嵌段区域和包围所述聚合物嵌段区域以具有圆筒形的聚合物嵌段基体；去除所述聚合物嵌段区域；以及利用所述聚合物嵌段基体作为刻蚀掩模来刻蚀所述介电层，以及在所述第二巢形凹陷区之下形成通孔腔。