[发明专利]一种探测基板及其制备方法、探测器在审
| 申请号： | 201510014946.8 | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN104681655A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 赵磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种探测基板及其制备方法、探测器，所述探测基板包括衬底基板、薄膜晶体管、PIN光电二极管和闪烁层，所述薄膜晶体管和所述PIN光电二极管设置在所述衬底基板的第一面，所述闪烁层设置在所述衬底基板的第二面。X射线通过透过率较高的衬底基板后直接照射到所述PIN光电二极管，避免照射到所述PIN光电二极管的光照强度减弱，从而提高所述探测基板对光线的利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 及其 制备 方法 探测器 | ||
【主权项】：
一种探测基板，其特征在于，包括衬底基板、薄膜晶体管、PIN光电二极管和闪烁层，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述薄膜晶体管和所述PIN光电二极管设置在所述衬底基板的第一面，所述闪烁层设置在所述衬底基板的第二面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;，未经京东方科技集团股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510014946.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
