[发明专利]使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路有效
| 申请号： | 201480082938.0 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107078098B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;R·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | CMOS电路可以使用p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管来形成，其中，p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管两者都形成在单个分层结构上，该单个分层结构包括沉积在第一氮化镓层上的极化层和沉积在极化层上的第二氮化镓层。在同一层结构上具有n沟道氮化镓晶体管和p沟道氮化镓晶体管两者可以实现电路包括从低电源电压跨越到高电源电压的逻辑、数字、和模拟电路的“全氮化镓晶体管”的实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 沟道 氮化 晶体管 cmos 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS电路结构，包括：分层结构，所述分层结构包括由极化层分隔开的第一氮化镓层和第二氮化镓层，其中，所述分层结构包括极化层中间表面；p沟道晶体管和n沟道晶体管中的一个，其邻近所述极化层中间表面形成；以及所述p沟道晶体管和n沟道晶体管中的另一个，其形成在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层中的一个上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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