[发明专利]晶体培养用坩埚、具备该晶体培养用坩埚的晶体培养装置以及晶体培养方法有效
| 申请号： | 201480076252.0 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106062258B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 神田乔之;小南信也;上野雄一郎;石津崇章;清野知之;高桥勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;严星铁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体培养 馏出物 凝缩 坩埚 晶体的 气化 半导体晶体 原料熔液 回收 高纯度 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶体培养用坩埚，其特征在于，具备：保持部，其对原料进行保持；初级馏出物回收部，其回收使保持于该保持部的原料气化了时的初级馏出物；以及晶体培养部，其回收使保持于上述保持部的原料气化了时的主馏出物，且用于培养晶体。
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