[发明专利]光电子半导体材料的整面的光学表征的方法和执行该方法的设备在审
| 申请号： | 201480063969.1 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN105765371A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 延斯·埃贝克;西格马尔·库格勒;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于光电子半导体材料(1)的整面的光学表征的方法，所述半导体材料设置用于制造多个光电子半导体芯片并且所述半导体材料具有给定半导体材料(1)的特征波长的带隙，所述方法具有下述步骤：A)用具有小于半导体材料(1)的特征波长的激发波长的光(20)整面地辐照光电子半导体材料(1)的主表面(11)，以在半导体材料(1)中产生电子空穴对；B)整面地检测通过电子空穴对复合从半导体材料(1)的主表面(11)放射的、具有特征波长的复合辐射(30)。此外，提出一种用于执行该方法的设备(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体材料 光学 表征 方法 执行 设备 | ||
【主权项】：
一种用于光电子的半导体材料(1)的整面的光学表征的方法，所述半导体材料设置用于制造多个光电子半导体芯片并且所述半导体材料具有给出所述半导体材料(1)的特征波长的带隙，所述方法具有下述步骤：A)用具有小于所述半导体材料(1)的特征波长的激发波长的光(20)整面地辐照所述光电子的半导体材料(1)的主表面(11)，以在所述半导体材料(1)中产生电子空穴对；B)整面地检测通过所述电子空穴对的复合从所述半导体材料(1)的所述主表面(11)放射的、具有特征波长的复合辐射(30)。
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