[发明专利]金属构件及其表面加工方法、半导体装置及其制造方法、复合成型体

摘要

本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有：成为具有由导电性金属材料构成的基材(21)和形成在所述基材的表面上的金属薄膜(22)的构成的引线框(2)；搭载于所述金属薄膜的表面的IC芯片(3)；以及按照将所述IC芯片覆盖的方式且接触于所述金属薄膜的表面的方式设置的注塑树脂(4)，所述金属薄膜由以选自Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成，所述制造方法具备：使用表面加工方法对所述金属薄膜的表面中与所述注塑树脂相接触的部分进行粗糙化，该表面加工方法具有：通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束，从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发；在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固，从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，在所述金属薄膜的表面中与所述注塑树脂相接触的表面部分上，按照以平行于所述基材的表面的直线状延伸的方式形成宽度为5～300μm的槽(22b、22d)，在所述金属薄膜的表面部分的所述槽的周围形成多个凸部(22ca)，形成各所述凸部的平均高度为1～500nm、各所述凸部的平均宽度为1～300nm、各所述凸部间的平均间隔为1～300nm的尺寸的微细凹凸(22c)。