[发明专利]含硅非晶质碳材料及其制造方法、以及锂离子二次电池有效
| 申请号： | 201480060555.3 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105706278B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 八木下洋平;梶浦裕一;山口浩平;片山美和;小田亘;滨井健太;本田知广;冈崎精二;坂本明男 | 申请（专利权）人： | 户田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/587 | 分类号： | H01M4/587;H01M4/36;H01M4/48 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种作为使用在锂离子二次电池等的负极的材料的含硅非晶质碳材料，在充放电时，所述使用在锂离子二次电池等的负极的材料的体积变化小，且所述使用在锂离子二次电池等的负极的材料的循环特性能够得到实用上的改善。本发明的含硅非晶质碳材料(1)具备易石墨化非晶质碳(4)，易石墨化非晶质碳中含有由SiOx(0＜x＜2)构成的氧化硅粒子，在氧化硅粒子的周围形成有空隙。含硅非晶质碳材料(1)的含硅率为1重量％以上50重量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅非晶质碳 材料 及其 制造 方法 以及 锂离子 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种含硅非晶质碳材料，其具备易石墨化非晶质碳，在所述易石墨化非晶质碳中含有由SiOx所表示的氧化硅粒子，其中，0＜x＜2，其特征在于：所述易石墨化非晶质碳中的所述氧化硅粒子是以分散后的状态存在的，所述含硅非晶质碳材料的含硅率为1重量％以上50重量％以下,所述含硅非晶质碳材料的圆形度为0.70以上1.0以下。
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