[发明专利]包括通过离子注入掺杂和沉积向外扩散阻挡物的用于制备太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201480058077.2 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN106104755A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | T·伯舍克;D·卡尼亚;C·舍尔霍恩 | 申请（专利权）人： | 离子射线服务公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及由晶体半导体材料制备太阳能电池(1)的方法，其中在半导体基材(3)的第一表面(3a)中通过离子注入(S2)第一掺杂剂形成第一掺杂区域(5)，并且在半导体基材的第二表面(3b)中通过离子注入(S3)或向内热扩散第二掺杂剂形成第二掺杂区域(7)，其中在掺杂第二表面之后在其上施加充当第二掺杂剂的向外扩散阻挡物的覆盖层(9b)，然后进行退火步骤(S4)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 通过 离子 注入 掺杂 沉积 向外 扩散 阻挡 用于 制备 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
由晶体半导体材料制备太阳能电池(1)的方法，其中在半导体基材(3)的第一表面(3a)中通过离子注入(S2)第一掺杂剂形成第一掺杂区域(5)，并且在半导体基材的第二表面(3b)中通过离子注入(S3)或向内热扩散第二掺杂剂形成第二掺杂区域(7)，其中在掺杂第二表面之后在第二表面上施加充当第二掺杂剂的向外扩散阻挡物的覆盖层(9b)，然后进行退火步骤(S4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于离子射线服务公司，未经离子射线服务公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480058077.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多边圆形镀膜设备腔体
- 下一篇：一种新型摆梭刺绣机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
