[发明专利]铜箔、带有载体箔的铜箔及覆铜层压板有效
| 申请号： | 201480051363.6 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105556004B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 津吉裕昭;细川真 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C25D7/06 | 分类号： | C25D7/06;C25D1/04;H05K1/09;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种与非粗化铜箔相比，具有与绝缘树脂基材的良好的密合性，且具有与非粗化铜箔同等的良好的蚀刻性能的铜箔。为了实现该目的，本发明提供在铜箔的至少一个表面具有粗化处理层的铜箔，其特征在于，该粗化处理层具有由铜复合化合物构成的500nm以下大小的针状或片状的凸状部所形成的微细凹凸结构，在该粗化处理层的表面设置有硅烷偶联剂处理层。本发明还提供一种带有载体箔的铜箔，其特征在于，在具有载体箔/粘合界面层/铜箔层的层结构的带有载体箔的铜箔的铜箔层的表面具有粗化处理层，该粗化处理层具有由铜复合化合物构成的500nm以下大小的针状或片状的凸状部所形成的微细凹凸结构，在该粗化处理层的表面设置有硅烷偶联剂处理层。 | ||
| 搜索关键词： | 铜箔 带有 载体 层压板 | ||
【主权项】：
1.一种铜箔，其特征在于，在至少一面具有粗化处理层和在该粗化处理层的表面形成的硅烷偶联剂处理层，所述粗化处理层具有由铜复合化合物构成的最大长度为100nm以上500nm以下大小的针状或片状的凸状部所形成的微细凹凸结构，所述铜复合化合物含有氧化铜及氧化亚铜，相对于通过X射线光电子能谱分析法分析所述粗化处理层的构成元素时得到的Cu(I)的峰面积与Cu(II)的峰面积的合计面积，Cu(I)的峰面积所占的比例为50％以上99％以下，该铜箔的所述粗化处理层侧表面的L*a*b*表色系中的明度L*的值为25以下，在所述粗化处理层的表面吸附氪后测定的比表面积为0.035m2/g以上。
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