[发明专利]蚀刻剂、蚀刻方法和蚀刻剂制备液有效
| 申请号： | 201480038367.0 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105378901B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 横沟贵宏;鹤本浩之;柿泽政彦 | 申请（专利权）人： | 富士胶片电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;C23F1/38;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂和蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，所述钛系金属用蚀刻剂即使在用于具有钛系金属和金属铜或铜合金的半导体基板的情况下，也可抑制过氧化氢的分解，溶液寿命长，控制蚀刻剂中的过氧化氢的浓度的必要性小。本发明涉及半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂、以使用该蚀刻剂为特征的蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂制备液，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含(A)过氧化氢、(B)结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂、(C)碱金属氢氧化物、以及(D)具有至少1个羟基和至少3个羧基的有机酸的水溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 制备 | ||
【主权项】：
一种半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂，该半导体基板具有钛系金属和位于该钛系金属的上部的金属铜或铜合金，该钛系金属用蚀刻剂为至少包含下述(A)、(B)、(C)和(D)的水溶液，(A)过氧化氢，(B)结构中具有氮原子的膦酸系螯合剂，(C)碱金属氢氧化物，(D)具有至少1个羟基和至少3个羧基的有机酸。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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