[发明专利]电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆有效

专利信息
申请号: 201480037280.1 申请日: 2014-02-20
公开(公告)号: CN105340376B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 田中幸一郎 申请(专利权)人: JX日矿日石金属株式会社
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;B32B9/00;C22C13/00;C22C19/03;C23C8/12;C23C14/06;C23C28/00;H01B7/17;C25D5/12;C25D5/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 童春媛;刘力
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供耐腐蚀性良好、低成本的电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料和屏蔽电缆。[课题]在由金属箔1形成的基材的一个面或两面形成有Sn‑Ni合金层2,在该Sn‑Ni合金层的表面形成有氧化物3,Sn‑Ni合金层含有20‑80质量%Sn,厚度为30‑500nm,距最表面的深度设为Xnm,通过XPS进行深度方向分析,Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)且Ao(X)=0时的X设为Xo时,30nm≧Xo≧0.5nm,且区间[0,Xo]中满足0.4≧∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≧0.05。
搜索关键词: 电磁波 屏蔽 金属 材料 电缆
【主权项】:
1.电磁波屏蔽用金属箔,其中,在由金属箔形成的基材的一个面或两面形成有Sn‑Ni合金层,在该Sn‑Ni合金层的表面形成有含Sn和Ni的氧化物,所述Sn‑Ni合金层含有20‑80质量%Sn,厚度为30‑500nm,距最表面的深度设为Xnm,通过XPS进行深度方向分析,Sn的原子浓度(%)设为ASn(X)、Ni的原子浓度(%)设为ANi(X)、氧的原子浓度(%)设为Ao(X)且Ao(X)=0时的X设为X0时,30nm≥Xo≥0.5nm,且区间[0, Xo]中满足0.4≥∫ANi(X)dX/∫ASn(X)dX≥0.05。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社,未经JX日矿日石金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480037280.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top