[发明专利]能通过可变磁通密度组件来调谐的电感器有效
| 申请号： | 201480025355.4 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105190798B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | D·D·金;K·李;D·F·伯蒂;M·F·维纶茨;J·金;J-H·兰;C·尹;N·S·慕达卡特;R·P·米库尔卡 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F21/06 | 分类号： | H01F21/06;H01F21/08;H01F27/255 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了能通过可变磁通密度组件来调谐的电感器。一特定设备包括电感器。该设备进一步包括可变磁通密度组件(VMFDC)，该VMFDC被定位成在电流被施加于电感器时影响电感器的磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 可变 密度 组件 调谐 电感器 | ||
【主权项】：
一种用于修改电感器的磁场的方法，所述方法包括：以通过调整施加于包括离子化的磁性颗粒的组件的电极的电势来选择性地控制经密封的包封中的所述离子化的磁性颗粒的移动的方式修改电感器的磁场。
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