[发明专利]超声波传感器微阵列和其制造方法无效

专利信息
申请号: 201480015015.3 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN105264338A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 萨扎杜尔·乔杜雷 申请(专利权)人: 温莎大学
主分类号: G01D5/48 分类号: G01D5/48;G01S7/52;G01S15/93
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 戚传江;金洁
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 一种传感器组件,其包含一个或多个设置有多个单独的换能器的电容式微加工超声波换能器(CMUT)微阵列模块。对CMUT微阵列模块进行布置以使单独的换能器模拟或定向为通常的双曲抛物面几何形状。所述换能器/传感器以矩形或正方形矩阵布置并且可单独地、选择性地或共同地激活以在约100至170 kHz的频率下发射和接收反射的波束信号。
搜索关键词: 超声波传感器 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种形成用于具有多个换能器的微阵列中的电容式微加工超声波换能器(CMUT)的方法,所述方法包括:提供具有通常平坦的上表面和下表面的第一硅基晶片,提供作为器件层的第二晶片,所述器件层具有通常平坦的平行顶表面和底表面,所述器件层具有选择为约0.05至5微米并且优选为约0.2至1微米的厚度,在所述器件层的所述顶表面或底表面中的一个之上形成苯并环丁烯(BCB)层,蚀刻所述BCB层的表面以形成其中具有多个凹穴的蚀刻表面,所述凹穴中的每个具有预选几何形状,所述凹穴的特征在于各自的侧壁延伸至约0.1至15微米、优选约0.2至8微米并且最优选约3至4微米的深度,和将BCB层的蚀刻表面的一部分与器件层的顶表面或底表面中的另一个对齐,利用插入其间的所述BCB层将所述第一晶片粘结至所述器件层,从而所述凹穴形成各自的换能器气隙,将导电金属施加至所述第一晶片和所述第二晶片中的至少一个。
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