[发明专利]具有石墨烯屏蔽体的三维(3D)集成电路(3DIC)以及相关的制造方法在审
| 申请号： | 201480008148.8 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104981899A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | Y·杜 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种具有石墨烯屏蔽体的三维(3-D)集成电路(3DIC)。在某些实施例中，在3DIC的两个相邻层级(34，52)之间设置至少一层石墨烯层(38)。石墨烯层是由纯碳制成的、具有原子以规则六边形图案排列的至少一个原子厚度的片状层。石墨烯层可以被设置在3DIC中任意层数的相邻层级之间。在示例性实施例中，石墨烯层提供了3DIC中相邻层级或相邻层之间的电磁干扰屏蔽体，以便减少层级之间的串扰。在其它示例性实施例中，石墨烯层可以被设置在3DIC中，以便提供引导热量朝向3DIC的周边区域并向3DIC的周边区域散发热量的散热器。在一些实施例中，石墨烯层被配置为提供EMI屏蔽体和热屏蔽体两者。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 石墨 屏蔽 三维 集成电路 dic 以及 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单片三维(3‑D)集成电路(3DIC)，包括：包括第一部件的第一半导体集成电路层级；包括第二部件的第二半导体集成电路层级，所述第二部件相对于所述第一半导体集成电路层级垂直设置；以及至少一层石墨烯层，所述至少一层石墨烯层被设置在所述第一半导体集成电路层级与所述第二半导体集成电路层级之间，以使得所述至少一层石墨烯层既不是所述第一部件的部分也不是所述第二部件的部分。
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