[实用新型]基座及LPCVD炉管有效

专利信息
申请号: 201420774773.0 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN204342875U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 程庆峰;沈建飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/24;C30B28/14;C30B29/06
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 100176 北京市大兴区大*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种基座,包括支撑板、隔冷子基座和保温子基座。支撑板内设有进液口、出液口及供冷却液循环的空腔结构,在薄膜沉积时在支撑板内通入冷却水使得支撑板保持较低的温度,反应气体SiH4在低于200℃时不会分解,使得多晶硅薄膜不会在支撑板上沉积,又由于保温子基座及隔冷子基座外表面均为碳化硅,即使在其表面形成有多晶硅薄膜沉积,所沉积的多晶硅薄膜与碳化硅具有较强的吸附力,不会轻易剥离,有效地避免了peeling defect的产生;同时,碳化硅保温子基座内加入石棉可以起到很好的保温作用,再配合里面套有石英隔冷子基座的碳化硅隔冷子基座隔离底部冷却水的影响,使得冷却水不会影响LPCVD炉管底部的温控,并且能够带来很好的微粒效果。
搜索关键词: 基座 lpcvd 炉管
【主权项】:
一种基座,其特征在于,所述基座包括:支撑板,所述支撑板上开设有进液口及出液口,所述支撑板内设有与所述进液口及出液口相连通的适于冷却液循环流动的空腔结构;设置于所述支撑板上的隔冷子基座;设置于所述隔冷子基座上的保温子基座。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420774773.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top