[实用新型]基座及LPCVD炉管有效
申请号: | 201420774773.0 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN204342875U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 程庆峰;沈建飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/24;C30B28/14;C30B29/06 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种基座,包括支撑板、隔冷子基座和保温子基座。支撑板内设有进液口、出液口及供冷却液循环的空腔结构,在薄膜沉积时在支撑板内通入冷却水使得支撑板保持较低的温度,反应气体SiH4在低于200℃时不会分解,使得多晶硅薄膜不会在支撑板上沉积,又由于保温子基座及隔冷子基座外表面均为碳化硅,即使在其表面形成有多晶硅薄膜沉积,所沉积的多晶硅薄膜与碳化硅具有较强的吸附力,不会轻易剥离,有效地避免了peeling defect的产生;同时,碳化硅保温子基座内加入石棉可以起到很好的保温作用,再配合里面套有石英隔冷子基座的碳化硅隔冷子基座隔离底部冷却水的影响,使得冷却水不会影响LPCVD炉管底部的温控,并且能够带来很好的微粒效果。 | ||
搜索关键词: | 基座 lpcvd 炉管 | ||
【主权项】:
一种基座,其特征在于,所述基座包括:支撑板,所述支撑板上开设有进液口及出液口,所述支撑板内设有与所述进液口及出液口相连通的适于冷却液循环流动的空腔结构;设置于所述支撑板上的隔冷子基座;设置于所述隔冷子基座上的保温子基座。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的