[实用新型]一种新型复合透明电极的LED芯片有效
| 申请号： | 201420638231.0 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN204118109U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李方芳;郝锐;王波;罗长得;易翰翔;刘洋;许德裕 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型复合透明电极的LED芯片，包括依次设置在衬底上的氮化镓缓冲层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、复合透明电极层和SiO2保护层，以及对应的n型电极和p型电极，其特征在于：所述的复合透明电极层由石墨烯层状薄膜和ZnO透明导电薄膜复合而成，也介绍了该芯片的制作方法。ZnO材料与P-GaN层的非欧姆接触特性，使得ZnO在LED电极中的应用受到很大限制。石墨烯材料在可见光频谱范围内具有高达97%的可见光透过率、以及优异的导电性能及机械性能，当其用于P型电极接触层时又可以与P-GaN间形成良好接触，在石墨烯上生长一层ZnO，又可以提高石墨烯的电流扩展特性，二者复合后形成LED的复合透明电极层，接触性能和透射率都可以得到大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 复合 透明 电极 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种新型复合透明电极的LED芯片，包括依次生长在衬底上的氮化镓缓冲层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和复合透明电极层，其特征在于：所述的N‑GaN层上制作有n型电极，复合透明电极层上制作有p型电极，所述n型电极、p型电极外侧的芯片表面沉积有SiO2保护层，所述的复合透明电极层由石墨烯层状薄膜和生长在石墨烯层状薄膜上的ZnO透明导电薄膜复合而成。
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