[实用新型]可变转换增益的图像传感器像素有效
| 申请号： | 201420482170.3 | 申请日： | 2014-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN204031312U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可变转换增益的图像传感器像素，包括置于半导体基体中的第一光电二极管、电荷传输晶体管、第一复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区、第二光电二极管、第二复位晶体管、电容、开关晶体管；开关晶体管的漏极端与所述漂浮有源区相连，源极端与所述电容的一极端相连，栅极端与所述第二光电二极管相连；电容的另一极端与漂浮有源区相连；第二复位晶体管的源极端与所述第二光电二极管相连，漏极端与电源相连。采用降低高照明环境时传感器像素的光电转换增益来达到延迟像素饱和时间的目的，解决现有技术不易采集户外高照明环境的实物信息，从而提升图像传感器输出的图像品质。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 转换 增益 图像传感器 像素 | ||
【主权项】：
一种可变转换增益的图像传感器像素，其特征在于，包括置于半导体基体中的第一光电二极管、电荷传输晶体管、第一复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，还包括置于半导体基体中的第二光电二极管、第二复位晶体管、电容、开关晶体管；所述开关晶体管的漏极端与所述漂浮有源区相连，源极端与所述电容的一极端相连，栅极端与所述第二光电二极管相连；所述电容的另一极端与漂浮有源区相连；所述第二复位晶体管的源极端与所述第二光电二极管相连，漏极端与电源相连。
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