[实用新型]高可靠氮化铝成膜基片厚膜混合集成电路

摘要

高可靠氮化铝成膜基片厚膜混合集成电路，它由管基、管脚、底座、片式元器件、氧化铝陶瓷基片、氮化铝陶瓷基片、小功率芯片、大功率芯片、厚膜阻带、厚膜导带组成，片式元器件、小功率芯片、厚膜阻带集成在氧化铝陶瓷基片之上，厚膜导带、大功率芯片集成在氮化铝陶瓷基片之上；氧化铝陶瓷基片与底座间有金属厚膜；本实用新型的氮化铝陶瓷基片的背面有一层多层复合金属薄膜，正面有一层具有图形的多层复合金属薄膜，在正面多层复合金属薄膜上形成厚膜导带、厚膜键合区、厚膜焊接区。本电路解决了原有功率厚膜混合集成电路附着力不良的难题，广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于高可靠装备系统领域。

主权项

 高可靠氮化铝成膜基片厚膜混合集成电路，该电路仍然由管基(1)、管脚(2)、底座(3)、片式元器件(6)、氧化铝陶瓷基片(7)、氮化铝陶瓷基片(12)、小功率芯片(8)、大功率芯片(11)、厚膜阻带(9)、厚膜导带10组成，其中片式元器件(6)、小功率芯片(8)、厚膜阻带(9)集成在氧化铝陶瓷基片(7)之上，厚膜导带(10)、大功率芯片(11)集成在氮化铝陶瓷基片(12)之上；氧化铝陶瓷基片(12)与底座(3)之间有金属厚膜(4)，本实用新型的特征在于：氮化铝陶瓷基片（12）的背面有一层真空镀膜形成的复合金属薄膜（14），用于与底座（3）之间进行粘贴，氮化铝陶瓷基片（12）的正面有一层选择性真空镀膜形成的多层复合金属薄膜（14），再在正面多层复合金属薄膜（14）上面采用丝网印刷和烧结的方式形成厚膜导带（10）、厚膜键合区（10）、大功率芯片厚膜焊接区（10），一起集成在氮化铝陶瓷基片（12）正面的多层复合金属薄膜（14）之上。