[实用新型]基于磁电阻技术的磁头有效

专利信息
申请号: 201420180411.9 申请日: 2014-04-14
公开(公告)号: CN203825177U 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 白建民;王建国;黎伟 申请(专利权)人: 无锡乐尔科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G07D7/04
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公布了一种基于磁电阻技术的磁头,其包括至少一个或多个磁场感应方向相同的传感单元以及输出引针;所述传感单元用以检测磁性介质的漏磁场;所述输出引针的输入端和输出端分别与所述传感器的相应端口电连接,用以将传感器与系统连接;所述传感单元的敏感元件为巨磁电阻元件或磁性隧道结元件,所述巨磁电阻元件和磁性隧道结元件为纳米级厚度的多层膜结构,所述纳米级多层膜结构至少包含自由层、非磁性层以及钉扎层三层纳米级薄膜。传感器具有高灵敏度,高精度,小体积,高性噪比,抗干扰能力强的特点,实现了非接触测量且能够内置于移动终端中,适用于移动支付并有效地解决了JitterShift现象,适用于工业化大规模生产。
搜索关键词: 基于 磁电 技术 磁头
【主权项】:
基于磁电阻技术的磁头,其特征在于:其包括至少一个或多个磁场感应方向相同的传感单元以及输出引针;所述传感单元用以检测磁性介质的漏磁场;所述输出引针的输入端和输出端分别与所述传感器的相应端口电连接,用以将传感器与系统连接;所述传感单元的敏感元件为巨磁电阻元件或磁性隧道结元件,所述巨磁电阻元件和磁性隧道结元件为纳米级厚度的多层膜结构,所述纳米级多层膜结构至少包含自由层、非磁性层以及钉扎层三层纳米级薄膜。
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