[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板有效

专利信息
申请号: 201420134883.0 申请日: 2014-03-24
公开(公告)号: CN203774328U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 梅新东;何基强;胡君文;李林;洪胜宝;张泽鹏;陈天佑 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 516600 广东省汕尾*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种TFT阵列基板及显示面板,所述TFT阵列基板的TFT包括:栅极,所述栅极包括:相互间隔的第一子栅极和第二子栅极,第一子栅极和第二子栅极均与栅极线电性相连;硅岛,所述硅岛包括:相互间隔的第一硅岛和第二硅岛,第一硅岛位于第一子栅极背离基板的一侧,第二硅岛位于第二子栅极背离基板的一侧;位于第一硅岛和第二硅岛背离基板一侧的漏极,所述漏极包括:与第一子栅极重叠的第一重叠部分;与第二子栅极重叠的第二重叠部分;位于第一子栅极和第二子栅极之间的像素电极连接部分,像素电极连接部分与像素电极电性相连。上述TFT阵列基板的各个TFT的栅极与漏极的重叠面积相同且均为一定值,提高了画面质量。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 阵列 显示 面板
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;位于所述基板一侧的栅极线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管阵列基板具有半源极驱动架构,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:栅极,所述栅极包括:相互间隔的第一子栅极和第二子栅极,所述第一子栅极和第二子栅极均与所述栅极线电性相连;硅岛,所述硅岛包括:相互间隔的第一硅岛和第二硅岛,所述第一硅岛位于所述第一子栅极背离所述基板的一侧,所述第二硅岛位于所述第二子栅极背离所述基板的一侧;位于所述第一硅岛和第二硅岛背离所述基板一侧的漏极,所述漏极包括:与所述第一子栅极重叠的第一重叠部分;与所述第二子栅极重叠的第二重叠部分;位于所述第一子栅极和第二子栅极之间的像素电极连接部分,所述像素电极连接部分与所述像素电极电性相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420134883.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top