[发明专利]半导体装置用树脂薄膜、以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410828176.6 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104745108B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;宍户雄一郎;菅生悠树 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/10 | 分类号： | C09J7/10;C09J11/04;H01L21/52 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及热固化前的铜离子捕捉率A与热固化后的铜离子捕捉率B之比B/A为1以上的半导体装置用树脂薄膜，以及半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 热固化 铜离子 捕捉 树脂薄膜 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置用树脂薄膜，其特征在于，/n将在具有10ppm铜离子的水溶液50ml中浸渍热固化前的重2.5g的半导体装置用树脂薄膜、并在120℃下放置20小时后的所述水溶液中的铜离子浓度、以ppm计设为X，/n且将在具有10ppm铜离子的水溶液50ml中浸渍在175℃下热固化5小时后的重2.5g的半导体装置用树脂薄膜、并在120℃下放置20小时后的所述水溶液中的铜离子浓度、以ppm计设为Y时，/n用下述式(1)算出的铜离子捕捉率A与用下述式(2)算出的铜离子捕捉率B之比B/A为1以上，/n式(1)：[(10-X)/10]×100(％)/n式(2)：[(10-Y)/10]×100(％)，/n所述半导体装置用树脂薄膜含有捕捉阳离子的无机双离子捕捉剂，所述无机双离子捕捉剂的平均粒径为0.2～0.6μm。/n
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