[发明专利]传感芯片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410822223.6 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104483498A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 陈弘达;袁浚;解意洋;阚强;耿照新 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N35/00 分类号: G01N35/00;G01N21/63
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于面发射激光器和金属阵列结构的表面等离子体共振传感的高灵敏度便携式传感芯片的制作和使用方法,属于光电子器件与传感技术领域。首先在面发射激光器的出光端面生长一层介质层用于隔离,再在该隔离层端面采用微纳加工技术,制作出可用于生物传感的金属阵列结构,最后通过微流控技术将PDMS(聚二甲基硅氧烷)制作的微流通道与芯片集成,实现芯片的传感封装,以进行传感检测。金属阵列结构表面的折射率变化影响面发射激光器出射波长的强度。将待测样品通入微流通道,测试出射光强度的变化即可对待测样品进行传感。本发明通过激光器与探测器集成,传感敏感单元及传感光学部件的高度集成,达到了传感设备微型化。
搜索关键词: 传感 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种传感器芯片,包括:样品注入端和样品流出端,用于待检测样品的注入和流出;样品注入端和样品流出端之间的微流通道,微流通道位于外壳内;光源,光源的出光端上部依次生长形成介质隔离层和传感层;外壳与光源封装形成检测机构;探测器位于外壳的外部,正对于光源;其特征在于:光源为面发射激光器,传感层为金属阵列结构。
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