[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其随机存取存储器操作方法有效

专利信息
申请号: 201410763257.2 申请日: 2014-12-11
公开(公告)号: CN105742484B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 徐懋腾 申请(专利权)人: 力晶科技股份有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种电阻式随机存取存储器结构及其随机存取存储器操作方法,该电阻式随机存取存储器结构包括第一晶体管、第二晶体管与电阻式随机存取存储单元串。通过第一晶体管的第一端子与第二晶体管电连接,而使得第一晶体管与第二晶体管串联。电阻式随机存取存储单元串包括彼此电连接的多个存储单元,且电连接至第一晶体管的第二端子。
搜索关键词: 电阻 随机存取存储器 结构 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种电阻式随机存取存储器结构,包括:第一晶体管与第二晶体管,通过该第一晶体管的一第一端子与该第二晶体管电连接,而使得该第一晶体管与该第二晶体管串联,且该第一晶体管与该第二晶体管共同设置于一基底表面;以及电阻式随机存取存储单元串,包括彼此电连接的多个存储单元,且各该存储单元包括:第一电极;第二电极,设置于该第一电极上;以及可变电阻结构,设置于该第一电极与该第二电极之间,其中该电阻式随机存取存储单元串还包括内连线结构,将同一串的该些存储单元的该些第一电极进行连接,且电连接至该第一晶体管的一第二端子。
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