[发明专利]一种纳米石墨晶电介质复合薄膜结构及应用在审
| 申请号： | 201410723085.6 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104596137A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘涌;王慷慨;伍枝正;程波;宋晨路;韩高荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | F24J2/48 | 分类号： | F24J2/48;B32B9/00;B32B15/04;B32B37/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米石墨晶电介质复合薄膜结构，具有两相复合的电介质基体和纳米石墨晶粒，纳米石墨晶粒的尺寸在3nm～20nm范围内，纳米石墨晶粒均匀分布在复合薄膜中，且与电介质基体在纳米尺度上进行复合，复合尺度在50nm以下。本发明还公开了一种纳米石墨晶电介质复合薄膜结构的应用，将所述的纳米石墨晶电介质复合薄膜结构与低辐射率层串联，使其同时具优异的太阳光吸收特性与较低的辐射性能，成为一种高效的太阳能能源材料，应用于太阳能选择吸收领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 石墨 电介质 复合 薄膜 结构 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米石墨晶电介质复合薄膜结构，其特征在于，具有两相复合的电介质基体和纳米石墨晶粒，所述纳米石墨晶粒的尺寸在3nm～20nm范围内。
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