[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法包括以下步骤在基板上形成金属或金属合金层；在金属或金属合金层上形成区域限定层，覆盖部分所述金属或金属合金层形成保护区；将保护区以外的金属或金属合金层氧化，得到氧化物半导体层；在氧化物半导体层和金属或金属合金层上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅极；在栅极上形成绝缘层，绝缘层覆盖栅极；制备源极和漏极，并使得源极和漏极与金属或金属合金层连接。将保护区的金属或金属合金氧化成氧化物半导体层，栅极与金属或金属合金层的接触面积小，减小了寄生电容。由于氧化物半导体层是由采用氧化部分金属或金属合金层得到的，减小了氧化物薄膜晶体管的尺寸。

主权项

一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成金属或金属合金层；在所述金属或金属合金层上形成区域限定层，所述区域限定层覆盖部分所述金属或金属合金层形成保护区；将所述保护区以外的所述金属或金属合金层氧化，得到氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层和所述金属或金属合金层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极在所述基板上的正投影覆盖所述氧化物半导体层在所述基板上的正投影；在所述栅极上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅极；制备源极和漏极，并使得所述源极和所述漏极与所述金属或金属合金层连接，得到所述氧化物薄膜晶体管。