[发明专利]一种基于雪崩三极管的超宽带脉冲产生电路

摘要

本发明公开了一种基于雪崩三极管的超宽带脉冲产生电路，该系统由振荡源、储能元件和高速开关组成，借鉴MARX电路的原理提出了通过级联方式增大了输出脉冲幅度的方法，同时改进电路为同步触发方式，克服了MARX电路的级间延迟，系统采用逻辑电路方案或CPLD方案为脉冲发生器产生所需触发信号。本发明是一种以一阶高斯脉冲为目标的UWB脉冲产生电路，具有数据传输速率高、功耗低、透视能力强等特点，在军事、救援、医疗、测量等众多领域可以广泛应用。

主权项

一种基于雪崩三极管的超宽带脉冲产生电路，其特征在于，包括雪崩级联电路、控制电路以及脉冲触发源电路；所述的雪崩级联电路由四级雪崩电路组成，每级雪崩电路都由TO‑18封装的2N2369A型雪崩晶体管（Q1、Q2、Q3、Q4）组成，所述的雪崩晶体管（Q1、Q2、Q3、Q4）的集电极分别通过集电极电阻（R1、R2、R3、R4）与偏置电压（VCC）相连，第一雪崩晶体管（Q1）的集电极通过第一雪崩电容（C1）和第五接地电阻（R5）接地，第二雪崩晶体管（Q2）的集电极通过第二雪崩电容（C2）与第一雪崩晶体管（Q1）的发射极相连，第九接地电阻（R9）接在第二雪崩电容（C2）与地之间，第三雪崩晶体管（Q3）的集电极通过第三雪崩电容（C3）与第二雪崩晶体管（Q2）的发射极相连，第十接地电阻（R10）接在第三雪崩电容（C3）与地之间，第四雪崩晶体管（Q4）的集电极通过第四雪崩电容（C4）与第三雪崩晶体管（Q3）的发射极相连，第十一接地电阻（R11）接在第四雪崩电容（C4）与地之间，第四雪崩晶体管（Q4）的集电极通过第十二接地电阻（R12）接地，第四雪崩晶体管（Q4）的发射极与信号输出端（Vout）相连；所述的控制电路由隔直电容（C5、C6、C7）和放电电阻（R6、R7、R8）组成，输入信号端（Vin）通过隔直电容（C5、C6、C7）分别与第一、二、三雪崩晶体管（Q1、Q2、Q3）相连，所述的放电电阻（R6、R7、R8）接在隔直电容（C5、C6、C7）与接地电阻（R9、R10、R11）之间；所述的脉冲触发源电路根据不同工况可以使用逻辑门电路，也可以使用CPLD电路实现。