[发明专利]一种气体传感器的制备方法无效

专利信息
申请号: 201410636812.5 申请日: 2014-11-13
公开(公告)号: CN104391006A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 禹胜林 申请(专利权)人: 无锡信大气象传感网科技有限公司
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 张惠忠
地址: 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于气敏材料与元件技术领域,具体涉及一种气体传感器的制备方法。包括以下步骤:步骤一、将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜;步骤二、用短链配体溶液处理量子点薄膜;步骤三、去除残余的短链配体及其副产物;步骤四、多次重复执行步骤一至步骤三,得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜;步骤五、在半导体胶态量子点薄膜上镀上一层无序型金属膜系,最后在金属膜系上镀上点电极;步骤六、在半导体胶态量子点薄膜上方设置紫外灯;步骤七、将上述结构置于设有通气孔的传感器壳体内。本发明利用紫外光照射辅助技术提高纳米半导体气敏传感器的灵敏度,降低传感器工作温度。
搜索关键词: 一种 气体 传感器 制备 方法
【主权项】:
一种气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将半导体胶态量子点溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上,使其均匀成膜;步骤二、用短链配体溶液处理量子点薄膜 ;步骤三、去除残余的短链配体及其副产物 ;步骤四、多次重复执行步骤一至步骤三,得到具有所需厚度的半导体胶态量子点薄膜;步骤五、在半导体胶态量子点薄膜上镀上一层无序型金属膜系,最后在金属膜系上镀上点电极;步骤六、在半导体胶态量子点薄膜上方设置紫外灯;步骤七、将上述结构置于设有通气孔的传感器壳体内。
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