[发明专利]栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备无效
申请号: | 201410601840.3 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN104600966A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 车霜贤;朴得熙;李演重;崔仲镐;柳济贤;刘弦宣;李昌锡 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社;首尔市立大学校产学协力团 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M3/335 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 曾世骁;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备。栅极驱动电路可包括:偏置单元,接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号,包括第一N-MOSFET和第一P-MOSFET,并且偏置单元通过第一N-MOSFET和第一P-MOSFET的导通供应偏置功率;放大单元,包括第二N-MOSFET和第二P-MOSFET,其中,第二N-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设高电平时导通的第一N-MOSFET供应的偏置功率而导通,第二P-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设低电平时导通的第一P-MOSFET供应的偏置功率而导通,并且放大单元根据第二N-MOSFET和第二P-MOSFET的导通提供栅极信号。 | ||
搜索关键词: | 栅极 驱动 电路 具有 开关设备 电源 设备 | ||
【主权项】:
一种栅极驱动电路,包括:偏置单元,接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号,包括第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N‑MOSFET和第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P‑MOSFET,其中,第一N‑MOSFET在输入信号具有预设高电平时被导通,第一P‑MOSFET在输入信号具有预设低电平时被导通,并且偏置单元通过第一N‑MOSFET和第一P‑MOSFET的导通来供应偏置功率;放大单元,包括第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET,其中,第二N‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设高电平时导通的第一N‑MOSFET供应的偏置功率而被导通,第二P‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设低电平时导通的第一P‑MOSFET供应的偏置功率而被导通,并且放大单元根据第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET的导通来提供栅极信号。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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