[发明专利]栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备无效

专利信息
申请号: 201410601840.3 申请日: 2014-10-31
公开(公告)号: CN104600966A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 车霜贤;朴得熙;李演重;崔仲镐;柳济贤;刘弦宣;李昌锡 申请(专利权)人: 三星电机株式会社;首尔市立大学校产学协力团
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M3/335
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 曾世骁;韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备。栅极驱动电路可包括:偏置单元,接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号,包括第一N-MOSFET和第一P-MOSFET,并且偏置单元通过第一N-MOSFET和第一P-MOSFET的导通供应偏置功率;放大单元,包括第二N-MOSFET和第二P-MOSFET,其中,第二N-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设高电平时导通的第一N-MOSFET供应的偏置功率而导通,第二P-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设低电平时导通的第一P-MOSFET供应的偏置功率而导通,并且放大单元根据第二N-MOSFET和第二P-MOSFET的导通提供栅极信号。
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 具有 开关设备 电源 设备
【主权项】:
一种栅极驱动电路,包括:偏置单元,接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号,包括第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N‑MOSFET和第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P‑MOSFET,其中,第一N‑MOSFET在输入信号具有预设高电平时被导通,第一P‑MOSFET在输入信号具有预设低电平时被导通,并且偏置单元通过第一N‑MOSFET和第一P‑MOSFET的导通来供应偏置功率;放大单元,包括第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET,其中,第二N‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设高电平时导通的第一N‑MOSFET供应的偏置功率而被导通,第二P‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设低电平时导通的第一P‑MOSFET供应的偏置功率而被导通,并且放大单元根据第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET的导通来提供栅极信号。
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