[发明专利]一种晶圆刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201410551311.7 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105513957A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 华源兴 | 申请（专利权）人： | 江苏凯旋涂装自动化工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆刻蚀工艺，包括如下步骤：分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞。反应：与柜表面的膜层发生RIE反应。解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面。排放：排放反应腔。本发明可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶圆刻蚀工艺,其特征在于，包括如下步骤：S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子；S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面；S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞；S104、反应：与柜表面的膜层发生RIE反应；S105、解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面；S106、排放：排放反应腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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