[发明专利]一种提高太阳能电池转化效率的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种提高太阳能电池转化效率的方法，具体包括将硅片基底清洗、扩散、蚀刻、减反射膜沉积；在经过减反射膜沉积后的硅片基底的背面印刷银电极，同时将印刷了银背电极的硅片基底在氮气氛围中烘干；在烘干后印刷了银背电极的硅片基底上印刷铝背电场，同时将印刷了铝背电场的硅片基底在氮气氛围中烘干；在烘干后的印刷了铝背电场的硅片基底上印刷正面银栅电极，同时将印刷了正面银栅电极的硅片基底在氮气氛围中烘干；将烘干后的印刷了正面银栅电极的硅片基底在氮气氛围中高温烧结，形成太阳能电池。本发明中在烘干和烧结工艺中分别将硅片基底置于氮气氛围中进行保护，提高了电极的金属化质量，实现提高太阳能电池的转换效率的目的。

主权项

一种提高太阳能电池转化效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1将硅片基底通过化学腐蚀的方法进行清洗，随后将所述清洗后的硅片基底置于扩散炉内进行扩散，随后将所述扩散过后的硅片基底进行蚀刻，最后将蚀刻后的硅片基底进行减反射膜沉积；S2在经过所述减反射膜沉积后的硅片基底的背面印刷银电极，在烧结后银与硅形成合金层，进而形成了无定型非晶高密度结构，同时将所述印刷了银背电极的硅片基底在温度范围为100～200℃，氮气流量为1000～20000ml/min的氛围中烘干10～20min；S3在所述烘干后印刷了银背电极的硅片基底上印刷铝背电场，同时将所述印刷了铝背电场的硅片基底在温度范围为100～200℃，氮气流量1000～20000ml/min的氛围中烘干10～20min；S4在所述烘干后的印刷了铝背电场的硅片基底上印刷正面银栅电极，同时将所述印刷了正面银栅电极的硅片基底在温度范围为100～200℃，氮气流量1000～20000ml/min的氛围中烘干10～20min；S5将所述烘干后的印刷了正面银栅电极的硅片基底在温度范围为500～800℃，氮气流量1000～20000ml/min的氛围中，烧结15～25min，形成太阳能电池。