[发明专利]晶圆刻蚀装置在审
| 申请号： | 201410498767.1 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104299933A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;汪曦凌 | 申请（专利权）人： | 安徽安芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 247000 安徽省池州市经济技*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆刻蚀装置，包括：载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。由于传动装置能够带动晶圆匀速转动，因此，就相当于将晶圆放置在流动的刻蚀溶液中，这样与晶圆反应后的废弃溶液就能够及时流动更新，从而提高了生产效率，缩短了生产周期；并且，由于晶圆与刻蚀溶液相对匀速运动，因此，晶圆各个区域的反应速度趋于一致，从而达到保证晶圆沟槽刻蚀均匀性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆刻蚀装置，其特征在于，包括：载体，所述载体具有多个可承载晶圆的卡槽，所述晶圆可在所述卡槽内转动；位于所述载体以及所述晶圆底部的传动装置，所述传动装置带动所述晶圆匀速转动，使所述晶圆与所述载体内的刻蚀溶液均匀反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
