[发明专利]检测晶格位错的方法有效
| 申请号： | 201410483059.0 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104297667B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01Q30/20;G01Q30/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测晶格位错的方法，包含如下步骤选取失效器件进行电学测试，多次扫描测量其电压‑电流曲线，观察多次扫描得到的电压‑电流曲线有无逐渐变大或变小的情况；对失效器件进行烘烤，重新多次测量其电压‑电流曲线，观察有无逐渐变大或变小的情况；对于确定电压‑电流曲线发生变化的器件，进行微光显微镜定位，进一步缩小位错的范围；将器件进行研磨，用聚焦离子束进行切割，物理解析制样形成透射电子显微镜样品；采用常规透射电子显微镜观察方式进行位错观察，获得位错像。上述方法通过电学分析到物理分析的流程，分析位错并找出位错的位置，提高集成电路器件失效分析的效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶格 方法 | ||
【主权项】：
一种检测晶格位错的方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，选取失效器件进行电学测试，多次扫描测量其电压‑电流曲线，观察多次扫描得到的电压‑电流曲线有无逐渐变大或变小的情况；第二步，对失效器件进行烘烤，重新多次测量其电压‑电流曲线，观察有无逐渐变大或变小的情况；第三步，对于确定电压‑电流曲线发生变化的器件，进行微光显微镜定位，进一步缩小位错的范围；第四步，将器件进行研磨，用聚焦离子束进行切割，物理解析制样形成透射电子显微镜样品；第五步，采用透射电子显微镜观察方式进行位错观察，获得位错像。
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