[发明专利]共源共栅晶体管和控制共源共栅晶体管的方法

摘要

提供了一种共源共栅晶体管和控制共源共栅晶体管的方法。该共源共栅晶体管包括：常断型晶体管；常通型晶体管，其耐电压高于常断型晶体管的耐电压，并且常通型晶体管的源极耦合至常断型晶体管的漏极；电路，在电路中开关和电容器彼此串联耦合，并且电路被布置在连接节点与常断型晶体管的源极之间，连接节点是常断型晶体管的漏极和常通型晶体管的源极彼此耦合的节点；以及控制电路，其在断开常断型晶体管的栅极信号之前接通开关并且将电容器电耦合至连接节点，并且控制电路在接通常断型晶体管的栅极信号之前断开开关并且将连接节点与电容器电隔离。 1

主权项

1.一种共源共栅晶体管，包括：

常断型晶体管；

常通型晶体管，其耐电压高于所述常断型晶体管的耐电压，并且所述常通型晶体管的源极耦合至所述常断型晶体管的漏极；

电路，在所述电路中开关和电容器彼此串联耦合，并且所述电路被布置在连接节点与所述常断型晶体管的源极之间，所述连接节点是所述常断型晶体管的所述漏极和所述常通型晶体管的所述源极彼此耦合的节点；以及

控制电路，其在断开所述常断型晶体管的栅极信号之前接通所述开关并且将所述电容器电耦合至所述连接节点，并且所述控制电路在接通所述常断型晶体管的栅极信号之前断开所述开关并且将所述连接节点与所述电容器电隔离。

2.根据权利要求1所述的共源共栅晶体管，其中，所述电容器是电压可变电容器并且具有控制端子，其中通过所述控制端子来改变所述电容器的电容。

3.根据权利要求1所述的共源共栅晶体管，还包括其中电容器和开关彼此串联耦合的多个电路，所述多个电路被并联地布置在所述连接节点与所述常断型晶体管的所述源极之间。

4.根据权利要求1所述的共源共栅晶体管，其中，所述常断型晶体管为MOS‑FET，并且所述常通型晶体管为GaN‑HEMT。

5.一种控制共源共栅晶体管的方法，所述共源共栅晶体管包括：

常断型晶体管；

常通型晶体管，其耐电压高于所述常断型晶体管的耐电压，并且所述常通型晶体管的源极耦合至所述常断型晶体管的漏极；

电路，在所述电路中开关和电容器彼此串联耦合，并且所述电路被布置在连接节点与所述常断型晶体管的源极之间，所述连接节点是所述常断型晶体管的所述漏极和所述常通型晶体管的所述源极彼此耦合的节点；以及

控制电路，其接通和断开所述开关，

所述方法包括：

在断开所述常断型晶体管的栅极信号之前接通所述开关并且将所述电容器电耦合至所述连接节点；以及

在接通所述常断型晶体管的栅极信号之前断开所述开关并且将所述连接节点与所述电容器电隔离。

6.一种半导体装置，包括：

形成在衬底上的常断型晶体管；

形成在所述衬底上的常通型晶体管，所述常通型晶体管的耐电压高于所述常断型晶体管的耐电压，并且所述常通型晶体管的源极耦合至所述常断型晶体管的漏极；

所述衬底上的电路，在所述电路中开关和电容器彼此串联耦合，并且所述电路被布置在连接节点与所述常断型晶体管的源极之间，其中所述常断型晶体管的所述漏极和所述常通型晶体管的所述源极在所述连接节点处彼此耦合；以及

控制电路，其在断开所述常断型晶体管的栅极信号之前接通所述开关并且将所述电容器电耦合至所述连接节点，并且所述控制电路在接通所述常断型晶体管的栅极信号之前断开所述开关并且将所述连接节点与所述电容器电隔离。