[发明专利]一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201410467008.9 | 申请日: | 2014-09-15 |
公开(公告)号: | CN104218115A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型PERC晶体硅太阳能电池及其制备方法,以电阻率为0.5-12ohm•cm的N型硅片作为基体,正面设有硼扩散P型发射结并设有丝网印刷的银铝电极,背面由上至下依次设有氮化硅钝化膜和蒸镀铝层,所述氮化硅钝化膜上设有点阵或者线阵型镂空,所述蒸镀铝层通过氮化硅钝化膜与硅基体局域接触。本发明通过采用将背钝化与金属化区域局域接触相结合,具有高效低成本等特点,且制备方法步骤简单,操作方便,具有良好的经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 perc 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型PERC晶体硅太阳能电池,其特征在于:以电阻率为0.5‑12 ohm•cm 的N型硅片作为基体,正面设有硼扩散(3)P型发射结并设有丝网印刷的银铝电极(1),背面由上至下依次设有氮化硅钝化膜(5)和蒸镀铝层(6),所述氮化硅钝化膜(5)上设有点阵或者线阵型镂空,所述蒸镀铝层(6)通过氮化硅钝化膜(6)与硅基体(4)局域接触。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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